IXFN360N10T
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Numero parte | IXFN360N10T | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | IXFN360N10T | ||||||||||||||||||
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B | ||||||||||||||||||
Produttore | IXYS | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 1.567 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IXFN360N10T Risorse
Brand | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IXFN360N10T |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IXFN360N10T Specifiche
Produttore | IXYS |
Serie | HiPerFET™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 360A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 180A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 505nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 36000pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 830W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
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