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IXFK44N80Q3

IXFK44N80Q3

Solo per riferimento

Numero parte IXFK44N80Q3
PNEDA Part # IXFK44N80Q3
Descrizione MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.158
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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IXFK44N80Q3 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXFK44N80Q3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXFK44N80Q3, IXFK44N80Q3 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 126,57 KB)
PDFIXFK44N80Q3 Datasheet Copertura
IXFK44N80Q3 Datasheet Pagina 2 IXFK44N80Q3 Datasheet Pagina 3 IXFK44N80Q3 Datasheet Pagina 4 IXFK44N80Q3 Datasheet Pagina 5

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IXFK44N80Q3 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C44A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id6.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs185nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9840pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1250W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264AA (IXFK)
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

64A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 64A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 20V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI8401DB-T1-E1

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.47W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

4-Microfoot

Pacchetto / Custodia

4-XFBGA, CSPBGA

STD7NS20T4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MESH OVERLAY™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI7108DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

92A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

79W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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