Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IXFH22N55

IXFH22N55

Solo per riferimento

Numero parte IXFH22N55
PNEDA Part # IXFH22N55
Descrizione MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.488
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXFH22N55 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXFH22N55
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXFH22N55, IXFH22N55 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 69,29 KB)
PDFIXFH22N55 Datasheet Copertura
IXFH22N55 Datasheet Pagina 2 IXFH22N55 Datasheet Pagina 3 IXFH22N55 Datasheet Pagina 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IXFH22N55 Datasheet
  • where to find IXFH22N55
  • IXYS

  • IXYS IXFH22N55
  • IXFH22N55 PDF Datasheet
  • IXFH22N55 Stock

  • IXFH22N55 Pinout
  • Datasheet IXFH22N55
  • IXFH22N55 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXFH22N55 Price
  • IXFH22N55 Distributor

IXFH22N55 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)550V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C22A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4200pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXFH)
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

FQP3N60C

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

565pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SQJA42EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

27W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

FDMS86380-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Power56

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

RFP70N06

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 20V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

FQT2P25TF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

550mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 275mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223-4

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Venduto di recente

STM32F031K6T6

STM32F031K6T6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 32KB FLASH 32LQFP

HCPL-063L-500E

HCPL-063L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN COLL 8SO

MT29F2G01AAAEDH4-IT:E

MT29F2G01AAAEDH4-IT:E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

MC33172DR2G

MC33172DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

766161102GPTR13

766161102GPTR13

CTS Resistor Products

RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SOIC

B0520LW-7-F

B0520LW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123

ALDP112W

ALDP112W

Panasonic Electric Works

RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 12V

S-8261ABMMD-G3MT2U

S-8261ABMMD-G3MT2U

ABLIC

IC BATT PROTECTION

SD066-24-21-011

SD066-24-21-011

Advanced Photonix

SENSOR PHOTODIODE 660NM TO46

FDD86540

FDD86540

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3

AD7994BRU-0REEL

AD7994BRU-0REEL

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 16TSSOP

DS1338U-33+

DS1338U-33+

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-USOP