IXFB170N30P
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| Numero parte | IXFB170N30P |
| PNEDA Part # | IXFB170N30P |
| Descrizione | MOSFET N-CH TO-264 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.320 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXFB170N30P Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXFB170N30P |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXFB170N30P Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 300V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 85A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 258nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1250W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS264™ |
| Pacchetto / Custodia | TO-264-3, TO-264AA |
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