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IXDN604SI

IXDN604SI

Solo per riferimento

Numero parte IXDN604SI
PNEDA Part # IXDN604SI
Descrizione IC GATE DVR 4A DUAL NONINV 8SOIC
Produttore IXYS Integrated Circuits Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 20.202
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXDN604SI Risorse

Brand IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXDN604SI
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
IXDN604SI, IXDN604SI Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 269,37 KB)
PDFIXDN604SITR Datasheet Copertura
IXDN604SITR Datasheet Pagina 2 IXDN604SITR Datasheet Pagina 3 IXDN604SITR Datasheet Pagina 4 IXDN604SITR Datasheet Pagina 5 IXDN604SITR Datasheet Pagina 6 IXDN604SITR Datasheet Pagina 7 IXDN604SITR Datasheet Pagina 8 IXDN604SITR Datasheet Pagina 9 IXDN604SITR Datasheet Pagina 10 IXDN604SITR Datasheet Pagina 11

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IXDN604SI Specifiche

ProduttoreIXYS Integrated Circuits Division
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 35V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 3V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)4A, 4A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)9ns, 8ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC-EP

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

2.75V ~ 30V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IR4427S

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

6V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.7V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.3A, 3.3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

15ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MIC4425BM-TR

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

28ns, 32ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MAX5064AATC-T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 12.6V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

125V

Tempo di salita / discesa (tipico)

65ns, 65ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-WQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

12-TQFN (4x4)

NCP5111PG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

85ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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