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IXDN502SIAT/R

IXDN502SIAT/R

Solo per riferimento

Numero parte IXDN502SIAT/R
PNEDA Part # IXDN502SIAT-R
Descrizione IC MOSF DRIVER FAST DUAL 8-SOIC
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.390
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXDN502SIAT/R Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXDN502SIAT/R
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
IXDN502SIAT/R, IXDN502SIAT/R Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 404,13 KB)
PDFIXDN502SIA Datasheet Copertura
IXDN502SIA Datasheet Pagina 2 IXDN502SIA Datasheet Pagina 3 IXDN502SIA Datasheet Pagina 4 IXDN502SIA Datasheet Pagina 5 IXDN502SIA Datasheet Pagina 6 IXDN502SIA Datasheet Pagina 7 IXDN502SIA Datasheet Pagina 8 IXDN502SIA Datasheet Pagina 9 IXDN502SIA Datasheet Pagina 10 IXDN502SIA Datasheet Pagina 11

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IXDN502SIAT/R Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 30V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 3V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2A, 2A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)7.5ns, 6.5ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

5V ~ 12V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3.5A, -

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

41V

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VFDFPN (3x3)

ISL6614BCRZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-VQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

16-QFN (4x4)

HIP4081AIP

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.6A, 2.4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

95V

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

20-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

20-PDIP

2SB315B-FF1200R17KE3_B2

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Produttore

Power Integrations

Serie

SCALE™-1

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Single

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

0V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

TC4424MJA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

23ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-CDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

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