IXDN502D1
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| Numero parte | IXDN502D1 |
| PNEDA Part # | IXDN502D1 |
| Descrizione | IC GATE DRIVER DUAL 2A 6-DFN |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.704 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXDN502D1 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXDN502D1 |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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IXDN502D1 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 30V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 2A, 2A |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 7.5ns, 6.5ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN (4x5) |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 5V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 130ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Maxim Integrated Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8V ~ 12.6V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 125V Tempo di salita / discesa (tipico) 65ns, 65ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 6.8V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.25A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Tempo di salita / discesa (tipico) 26ns, 18ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-DFN (3x3) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 0.3V ~ 60V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.5A, 2.5A Tipo di ingresso CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap) 50V Tempo di salita / discesa (tipico) 16ns, 12ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-WFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore W-DFN3030-10 |
