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IXDD604SIATR

IXDD604SIATR

Solo per riferimento

Numero parte IXDD604SIATR
PNEDA Part # IXDD604SIATR
Descrizione IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
Produttore IXYS Integrated Circuits Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 110.727
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXDD604SIATR Risorse

Brand IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXDD604SIATR
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
IXDD604SIATR, IXDD604SIATR Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 269,37 KB)
PDFIXDN604SITR Datasheet Copertura
IXDN604SITR Datasheet Pagina 2 IXDN604SITR Datasheet Pagina 3 IXDN604SITR Datasheet Pagina 4 IXDN604SITR Datasheet Pagina 5 IXDN604SITR Datasheet Pagina 6 IXDN604SITR Datasheet Pagina 7 IXDN604SITR Datasheet Pagina 8 IXDN604SITR Datasheet Pagina 9 IXDN604SITR Datasheet Pagina 10 IXDN604SITR Datasheet Pagina 11

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IXDD604SIATR Specifiche

ProduttoreIXYS Integrated Circuits Division
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 35V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 3V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)4A, 4A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)9ns, 8ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

10A, 10A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

38ns, 33ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-S (6x5)

ISL6612BIBZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

TC4467CPD

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.2A, 1.2A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

15ns, 15ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-PDIP

EL7212CSZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7.5ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IR2136STR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

200mA, 350mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

125ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

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