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IXBH6N170

IXBH6N170

Solo per riferimento

Numero parte IXBH6N170
PNEDA Part # IXBH6N170
Descrizione IGBT 1700V 12A 75W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.678
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXBH6N170 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXBH6N170
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXBH6N170, IXBH6N170 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 180,22 KB)
PDFIXBT6N170 Datasheet Copertura
IXBT6N170 Datasheet Pagina 2 IXBT6N170 Datasheet Pagina 3 IXBT6N170 Datasheet Pagina 4 IXBT6N170 Datasheet Pagina 5

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IXBH6N170 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieBIMOSFET™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)12A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)36A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 6A
Potenza - Max75W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge17nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)1.08µs
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXBH)

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

38W

Switching Energy

300µJ (on), 960µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

80nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

31.6ns/115ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

STGP40V60F

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Potenza - Max

283W

Switching Energy

456µJ (on), 411µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

226nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

52ns/208ns

Condizione di test

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

FGP15N60UNDF

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Potenza - Max

178W

Switching Energy

370µJ (on), 67µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

43nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

9.3ns/54.8ns

Condizione di test

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

82.4ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 15A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

420µJ (on), 110µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25.4nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/73ns

Condizione di test

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

196ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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