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IXBH10N170

IXBH10N170

Solo per riferimento

Numero parte IXBH10N170
PNEDA Part # IXBH10N170
Descrizione IGBT 1700V 20A 140W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.370
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXBH10N170 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXBH10N170
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXBH10N170, IXBH10N170 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 483,77 KB)
PDFIXBH10N170 Datasheet Copertura
IXBH10N170 Datasheet Pagina 2 IXBH10N170 Datasheet Pagina 3 IXBH10N170 Datasheet Pagina 4 IXBH10N170 Datasheet Pagina 5

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IXBH10N170 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieBIMOSFET™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.8V @ 15V, 10A
Potenza - Max140W
Switching Energy6mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge30nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C35ns/500ns
Condizione di test1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)360ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXBH)

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

32A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 19A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

15mJ (on), 30mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

142nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

1500V, 19A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS i4-PAC™

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

2.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/850ns

Condizione di test

800V, 12A, 120Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

GT10J312(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

400ns/400ns

Condizione di test

300V, 10A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220SM

RGS80TSX2DHRC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Potenza - Max

555W

Switching Energy

3mJ (on), 3.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

104nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

49ns/199ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

198ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

IXBT42N170

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

Potenza - Max

360W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

188nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.32µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Venduto di recente

CNY17-4X007T

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0ZCJ0025AF2E

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LM2901DR

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Rohm Semiconductor

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HSMS-2812-TR1

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Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3

ADM211ARSZ-REEL

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Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 4/5 28SSOP

L7905CV-DG

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STMicroelectronics

IC REG LINEAR -5V 1.5A TO220

L9678PTR

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STMicroelectronics

IC SBC FOR AIRBAG 64LQFP

MAX13035EETE+

MAX13035EETE+

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IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 16TQFN

PD70200ILD-TR

PD70200ILD-TR

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IC POE DRIVER PD PSE 12DFN