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IXBF12N300

IXBF12N300

Solo per riferimento

Numero parte IXBF12N300
PNEDA Part # IXBF12N300
Descrizione IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.896
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXBF12N300 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXBF12N300
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXBF12N300, IXBF12N300 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 201,7 KB)
PDFIXBF12N300 Datasheet Copertura
IXBF12N300 Datasheet Pagina 2 IXBF12N300 Datasheet Pagina 3 IXBF12N300 Datasheet Pagina 4 IXBF12N300 Datasheet Pagina 5

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IXBF12N300 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieBIMOSFET™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3000V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)26A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)98A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 12A
Potenza - Max125W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge62nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)1.4µs
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodiai4-Pac™-5 (3 Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS i4-PAC™

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Potenza - Max

320W

Switching Energy

2.1mJ (on), 1.3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

75ns/315ns

Condizione di test

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

130ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

STGP12NB60HD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 12A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

210µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

68nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

5ns/91ns

Condizione di test

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

80ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

FGPF70N30TDTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

49.2W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

125nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

21ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

NGB8206NG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5µs

Condizione di test

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

42A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

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Gate Charge

23nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/160ns

Condizione di test

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

28ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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