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IXBA14N300HV

IXBA14N300HV

Solo per riferimento

Numero parte IXBA14N300HV
PNEDA Part # IXBA14N300HV
Descrizione REVERSE CONDUCTING IGBT
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.188
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXBA14N300HV Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXBA14N300HV
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXBA14N300HV, IXBA14N300HV Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 359,9 KB)
PDFIXBA14N300HV Datasheet Copertura
IXBA14N300HV Datasheet Pagina 2 IXBA14N300HV Datasheet Pagina 3 IXBA14N300HV Datasheet Pagina 4 IXBA14N300HV Datasheet Pagina 5 IXBA14N300HV Datasheet Pagina 6

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IXBA14N300HV Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieBIMOSFET™
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3000V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)38A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 14A
Potenza - Max200W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge62nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C40ns/166ns
Condizione di test960V, 14A, 20Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)1.4µs
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.3A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

8A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 2A

Potenza - Max

35W

Switching Energy

74µJ (on), 39µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

12nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

11ns/150ns

Condizione di test

400V, 2A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

68ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

RGTV00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Potenza - Max

94W

Switching Energy

1.17mJ (on), 940µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

104nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

41ns/142ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

102ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PFM, SC-93-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PFM

IXBT42N170

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

Potenza - Max

360W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

188nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.32µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

38A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

3.1mJ (on), 2.4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

70nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

600V, 20A, 82Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

48A

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-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

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Tipo di ingresso

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Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

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