IX2B11P7
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| Numero parte | IX2B11P7 |
| PNEDA Part # | IX2B11P7 |
| Descrizione | IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14DIP |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.228 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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IX2B11P7 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IX2B11P7 |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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IX2B11P7 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | - |
| Tipo di canale | - |
| Numero di driver | - |
| Tipo di porta | - |
| Tensione - Alimentazione | - |
| Tensione logica - VIL, VIH | - |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | - |
| Tipo di ingresso | - |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 14-DIP |
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Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4A, 4A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 15ns, 18ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.5A, 1.5A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 25ns, 25ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta - Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 500mA, 500mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 50ns, 90ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata High-Side or Low-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 12V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 12A, 12A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 12ns, 12.2ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore ON Semiconductor Serie - Configurazione guidata High-Side or Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8.5V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.7V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4A, 4A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 200V Tempo di salita / discesa (tipico) 8ns, 7ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 140°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-WDFN (4x4) |
