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ISL89166FBEAZ-T

ISL89166FBEAZ-T

Solo per riferimento

Numero parte ISL89166FBEAZ-T
PNEDA Part # ISL89166FBEAZ-T
Descrizione IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.888
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL89166FBEAZ-T Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL89166FBEAZ-T
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ISL89166FBEAZ-T, ISL89166FBEAZ-T Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 745,83 KB)
PDFISL89168FRTAZ Datasheet Copertura
ISL89168FRTAZ Datasheet Pagina 2 ISL89168FRTAZ Datasheet Pagina 3 ISL89168FRTAZ Datasheet Pagina 4 ISL89168FRTAZ Datasheet Pagina 5 ISL89168FRTAZ Datasheet Pagina 6 ISL89168FRTAZ Datasheet Pagina 7 ISL89168FRTAZ Datasheet Pagina 8 ISL89168FRTAZ Datasheet Pagina 9 ISL89168FRTAZ Datasheet Pagina 10 ISL89168FRTAZ Datasheet Pagina 11

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ISL89166FBEAZ-T Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 16V
Tensione logica - VIL, VIH1.22V, 2.08V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)6A, 6A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)20ns, 20ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC-EP

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1A, 1A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

30V

Tempo di salita / discesa (tipico)

30ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IRS21850SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

15ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AUIRS2181S

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.9A, 2.3A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

15ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

28ns, 32ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

IRS21858STRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

290mA, 600mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

60ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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