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ISL89165FBEBZ-T

ISL89165FBEBZ-T

Solo per riferimento

Numero parte ISL89165FBEBZ-T
PNEDA Part # ISL89165FBEBZ-T
Descrizione MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.300
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL89165FBEBZ-T Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL89165FBEBZ-T
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ISL89165FBEBZ-T, ISL89165FBEBZ-T Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 834,2 KB)
PDFISL89165FRTCZ-T Datasheet Copertura
ISL89165FRTCZ-T Datasheet Pagina 2 ISL89165FRTCZ-T Datasheet Pagina 3 ISL89165FRTCZ-T Datasheet Pagina 4 ISL89165FRTCZ-T Datasheet Pagina 5 ISL89165FRTCZ-T Datasheet Pagina 6 ISL89165FRTCZ-T Datasheet Pagina 7 ISL89165FRTCZ-T Datasheet Pagina 8 ISL89165FRTCZ-T Datasheet Pagina 9 ISL89165FRTCZ-T Datasheet Pagina 10 ISL89165FRTCZ-T Datasheet Pagina 11

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  • ISL89165FBEBZ-T Distributor

ISL89165FBEBZ-T Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 16V
Tensione logica - VIL, VIH1.85V, 3.15V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)6A, 6A
Tipo di ingressoInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)20ns, 20ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC-EP

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.2A, 1.2A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

14ns, 13ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

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Produttore

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 30V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

18ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MAX17604ASA+T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

2V, 4.25V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

FAN7383MX

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

15V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

1.2V, 2.9V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

350mA, 650mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

50ns, 30ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

125mA, 250mA

Tipo di ingresso

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High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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