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ISL6622AIBZ-T

ISL6622AIBZ-T

Solo per riferimento

Numero parte ISL6622AIBZ-T
PNEDA Part # ISL6622AIBZ-T
Descrizione IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.644
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL6622AIBZ-T Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL6622AIBZ-T
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ISL6622AIBZ-T, ISL6622AIBZ-T Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 631,41 KB)
PDFISL6622ACRZ-T Datasheet Copertura
ISL6622ACRZ-T Datasheet Pagina 2 ISL6622ACRZ-T Datasheet Pagina 3 ISL6622ACRZ-T Datasheet Pagina 4 ISL6622ACRZ-T Datasheet Pagina 5 ISL6622ACRZ-T Datasheet Pagina 6 ISL6622ACRZ-T Datasheet Pagina 7 ISL6622ACRZ-T Datasheet Pagina 8 ISL6622ACRZ-T Datasheet Pagina 9 ISL6622ACRZ-T Datasheet Pagina 10 ISL6622ACRZ-T Datasheet Pagina 11

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ISL6622AIBZ-T Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione6.8V ~ 13.2V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)1.25A, 2A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36V
Tempo di salita / discesa (tipico)26ns, 18ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Richtek USA Inc.

Produttore

Richtek USA Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

13V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

300mA, 600mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

70ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

UCC27282DRCT

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

5.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

0.9V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.5A, 3.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

120V

Tempo di salita / discesa (tipico)

12ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-VSON (3x3)

L6494LDTR

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

1.45V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2.5A

Tipo di ingresso

CMOS/TTL

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

500V

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SO

NCV33152DR2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

6.1V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

36ns, 32ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

DGD2181S8-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.9A, 2.3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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