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ISL6614IB

ISL6614IB

Solo per riferimento

Numero parte ISL6614IB
PNEDA Part # ISL6614IB
Descrizione IC DRIVER MOSF DUAL SYNC 14SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.546
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL6614IB Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL6614IB
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ISL6614IB, ISL6614IB Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 664,46 KB)
PDFISL6614IRZ-TR5238 Datasheet Copertura
ISL6614IRZ-TR5238 Datasheet Pagina 2 ISL6614IRZ-TR5238 Datasheet Pagina 3 ISL6614IRZ-TR5238 Datasheet Pagina 4 ISL6614IRZ-TR5238 Datasheet Pagina 5 ISL6614IRZ-TR5238 Datasheet Pagina 6 ISL6614IRZ-TR5238 Datasheet Pagina 7 ISL6614IRZ-TR5238 Datasheet Pagina 8 ISL6614IRZ-TR5238 Datasheet Pagina 9 ISL6614IRZ-TR5238 Datasheet Pagina 10 ISL6614IRZ-TR5238 Datasheet Pagina 11

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ISL6614IB Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver4
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10.8V ~ 13.2V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)1.25A, 2A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36V
Tempo di salita / discesa (tipico)26ns, 18ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore14-SOIC

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

19ns, 19ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

NCV5701ADR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT

Tensione - Alimentazione

20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.75V, 4.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

20mA, 15mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

9.2ns, 7.9ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

EL7155CSZ-T7A

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16.5V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3.5A, 3.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

14.5ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

HIP6601BECBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

15V

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

IR2106STRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.9V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

200mA, 350mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

150ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Venduto di recente

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FIXED IND 500NH 10A 7 MOHM SMD

CDRH127/LDNP-220MC

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FIXED IND 22UH 4.7A 36.4 MOHM

VLCF4020T-2R2N1R7

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FIXED IND 2.2UH 1.72A 59 MOHM

744770122

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Wurth Electronics

FIXED IND 22UH 4.1A 43 MOHM SMD

DLP11TB800UL2L

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SIT9102AI-243N25E200.00000X

SIT9102AI-243N25E200.00000X

SiTIME

MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD

7M24000020

7M24000020

TXC

CRYSTAL 24MHZ 18PF SMD

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

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