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ISL6613BECB

ISL6613BECB

Solo per riferimento

Numero parte ISL6613BECB
PNEDA Part # ISL6613BECB
Descrizione IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.194
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL6613BECB Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL6613BECB
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ISL6613BECB, ISL6613BECB Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 679,4 KB)
PDFISL6613BIRZ-T Datasheet Copertura
ISL6613BIRZ-T Datasheet Pagina 2 ISL6613BIRZ-T Datasheet Pagina 3 ISL6613BIRZ-T Datasheet Pagina 4 ISL6613BIRZ-T Datasheet Pagina 5 ISL6613BIRZ-T Datasheet Pagina 6 ISL6613BIRZ-T Datasheet Pagina 7 ISL6613BIRZ-T Datasheet Pagina 8 ISL6613BIRZ-T Datasheet Pagina 9 ISL6613BIRZ-T Datasheet Pagina 10 ISL6613BIRZ-T Datasheet Pagina 11

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ISL6613BECB Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione7V ~ 13.2V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)1.25A, 2A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36V
Tempo di salita / discesa (tipico)26ns, 18ns
Temperatura di esercizio0°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC-EP

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

17V (Max)

Tensione logica - VIL, VIH

1.5V, 3.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

400mA, 650mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

50ns, 30ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP

Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 30V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

9ns, 8ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ZXGD3001E6TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

12V (Max)

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

9A, 9A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7.3ns, 11ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-6

HIP2100IRZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

4V, 7V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-VQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

16-QFN-EP (5x5)

MIC5014BN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

2.75V ~ 30V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

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