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ISL6609AIRZ-TK

ISL6609AIRZ-TK

Solo per riferimento

Numero parte ISL6609AIRZ-TK
PNEDA Part # ISL6609AIRZ-TK
Descrizione IC MOSFET DVR SYNC RECT 8-QFN
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL6609AIRZ-TK Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL6609AIRZ-TK
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ISL6609AIRZ-TK, ISL6609AIRZ-TK Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 1.350,77 KB)
PDFISL6609IBZ-T Datasheet Copertura
ISL6609IBZ-T Datasheet Pagina 2 ISL6609IBZ-T Datasheet Pagina 3 ISL6609IBZ-T Datasheet Pagina 4 ISL6609IBZ-T Datasheet Pagina 5 ISL6609IBZ-T Datasheet Pagina 6 ISL6609IBZ-T Datasheet Pagina 7 ISL6609IBZ-T Datasheet Pagina 8 ISL6609IBZ-T Datasheet Pagina 9 ISL6609IBZ-T Datasheet Pagina 10 ISL6609IBZ-T Datasheet Pagina 11

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ISL6609AIRZ-TK Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Tensione logica - VIL, VIH1V, 2V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)-, 4A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36V
Tempo di salita / discesa (tipico)8ns, 8ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VQFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-QFN (3x3)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

9A, 9A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 24ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-5

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-5

DGD2110S16-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.5A, 2.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

500V

Tempo di salita / discesa (tipico)

15ns, 13ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SO

MC34152DR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

6.1V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

36ns, 32ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IRS2123SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

500mA, 500mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 80ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

LM25101BMA/NOPB

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

2.3V, -

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Tempo di salita / discesa (tipico)

570ns, 430ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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