ISL6605CRZR5168
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| Numero parte | ISL6605CRZR5168 |
| PNEDA Part # | ISL6605CRZR5168 |
| Descrizione | IC MOSFET DRVR SYNCH RECT 8QFN |
| Produttore | Renesas Electronics America Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.410 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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ISL6605CRZR5168 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ISL6605CRZR5168 |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
ISL6605CRZR5168, ISL6605CRZR5168 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 552,92 KB)
  
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ISL6605CRZR5168 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Synchronous |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 5.5V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 1V, 2V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 2A, 2A |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 33V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 8ns, 8ns |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-VQFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-QFN (3x3) |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.7V, 2.3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 290mA, 600mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 70ns, 35ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 210mA, 360mA Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 100ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Maxim Integrated Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4V ~ 12.6V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.3A, 7.6A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 82ns, 12.5ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-6 |
Produttore Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.25V ~ 15V Tensione logica - VIL, VIH 1.16V, 2.08V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4A, 4A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 14-HTSSOP |
