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ISL2111ARTZ

ISL2111ARTZ

Solo per riferimento

Numero parte ISL2111ARTZ
PNEDA Part # ISL2111ARTZ
Descrizione IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 10TDFN
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 16.308
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL2111ARTZ Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL2111ARTZ
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ISL2111ARTZ, ISL2111ARTZ Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 754,45 KB)
PDFISL2110AR4Z Datasheet Copertura
ISL2110AR4Z Datasheet Pagina 2 ISL2110AR4Z Datasheet Pagina 3 ISL2110AR4Z Datasheet Pagina 4 ISL2110AR4Z Datasheet Pagina 5 ISL2110AR4Z Datasheet Pagina 6 ISL2110AR4Z Datasheet Pagina 7 ISL2110AR4Z Datasheet Pagina 8 ISL2110AR4Z Datasheet Pagina 9 ISL2110AR4Z Datasheet Pagina 10 ISL2110AR4Z Datasheet Pagina 11

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  • ISL2111ARTZ Distributor

ISL2111ARTZ Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione8V ~ 14V
Tensione logica - VIL, VIH1.4V, 2.2V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)3A, 4A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114V
Tempo di salita / discesa (tipico)9ns, 7.5ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia10-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore10-TDFN (4x4)

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TC4422EPA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

9A, 9A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

60ns, 60ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

SI9912DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1A, 1A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

30V

Tempo di salita / discesa (tipico)

30ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

TC4429IJA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-CDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-CERDIP

LM5104SD

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.6A, 1.6A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Tempo di salita / discesa (tipico)

600ns, 600ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-WSON (4x4)

IR2104STRPBF

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Produttore

Infineon Technologies

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Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

210mA, 360mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

100ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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