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IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
PNEDA Part # IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
Descrizione IC PSRAM 64M PARALLEL 24TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.444
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR, IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet (Totale pagine: 48, Dimensioni: 5.291,24 KB)
PDFIS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Copertura
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 2 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 3 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 4 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 5 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 6 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 7 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 8 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 9 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 10 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Distributor

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaPSRAM
TecnologiaPSRAM (Pseudo SRAM)
Dimensione della memoria64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina40ns
Tempo di accesso40ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore24-TFBGA (6x8)

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AKM Semiconductor Inc.

Produttore

AKM Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (64 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

4MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TMSOP

STK11C88-SF45TR

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

BR24G32FVM-3GTTR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

32Mb (1M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

CY7C1512SV18-200BZI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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