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IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR

IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR
PNEDA Part # IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR
Descrizione IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.222
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR, IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR Datasheet (Totale pagine: 67, Dimensioni: 1.247,46 KB)
PDFIS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR Datasheet Copertura
IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR Datasheet Pagina 2 IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR Datasheet Pagina 3 IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR Datasheet Pagina 4 IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR Datasheet Pagina 5 IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR Datasheet Pagina 6 IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR Datasheet Pagina 7 IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR Datasheet Pagina 8 IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR Datasheet Pagina 9 IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR Datasheet Pagina 10 IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR Distributor

IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaPSRAM
TecnologiaPSRAM (Pseudo SRAM)
Dimensione della memoria64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-VFBGA (6x8)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

AS6C2008-55STIN

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-sTSOP

M58LR256KB70ZC5E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

79-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

79-VFBGA (9x11)

AT45DB021B-CC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (264 Bytes x 1024 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

9-TBGA, CSPBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

9-CBGA (5x5)

MT48V8M16LFB4-10 IT:G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (8x8)

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