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IS66WVC2M16ALL-7010BLI

IS66WVC2M16ALL-7010BLI

Solo per riferimento

Numero parte IS66WVC2M16ALL-7010BLI
PNEDA Part # IS66WVC2M16ALL-7010BLI
Descrizione IC PSRAM 32M PARALLEL 54VFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.768
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS66WVC2M16ALL-7010BLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS66WVC2M16ALL-7010BLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS66WVC2M16ALL-7010BLI, IS66WVC2M16ALL-7010BLI Datasheet (Totale pagine: 67, Dimensioni: 1.234,74 KB)
PDFIS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Datasheet Copertura
IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Datasheet Pagina 2 IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Datasheet Pagina 3 IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Datasheet Pagina 4 IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Datasheet Pagina 5 IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Datasheet Pagina 6 IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Datasheet Pagina 7 IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Datasheet Pagina 8 IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Datasheet Pagina 9 IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Datasheet Pagina 10 IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS66WVC2M16ALL-7010BLI Distributor

IS66WVC2M16ALL-7010BLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaPSRAM
TecnologiaPSRAM (Pseudo SRAM)
Dimensione della memoria32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-VFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

AT24C128N-10SU-2.7

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT40A512M8RH-075E:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.33GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (9x10.5)

7133LA20PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

32Kb (2K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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CY7C1515KV18-300BZCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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