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IS66WV51216EBLL-55BLI-TR

IS66WV51216EBLL-55BLI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS66WV51216EBLL-55BLI-TR
PNEDA Part # IS66WV51216EBLL-55BLI-TR
Descrizione IC PSRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.914
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS66WV51216EBLL-55BLI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS66WV51216EBLL-55BLI-TR, IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 692,71 KB)
PDFIS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Copertura
IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 2 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 3 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 4 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 5 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 6 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 7 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 8 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 9 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 10 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Distributor

IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaPSRAM
TecnologiaPSRAM (Pseudo SRAM)
Dimensione della memoria8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

DS2502G+T&R

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.8V ~ 6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-SFN

Pacchetto dispositivo fornitore

2-SFN (6x6)

MR2A16AVYS35R

Everspin Technologies Inc.

Produttore

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP2

S25FL512SAGMFIR11

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

CY7C1338G-100AXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4Mb (128K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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