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IS63WV1288DBLL-10JLI

IS63WV1288DBLL-10JLI

Solo per riferimento

Numero parte IS63WV1288DBLL-10JLI
PNEDA Part # IS63WV1288DBLL-10JLI
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.766
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS63WV1288DBLL-10JLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS63WV1288DBLL-10JLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS63WV1288DBLL-10JLI, IS63WV1288DBLL-10JLI Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 561,5 KB)
PDFIS63WV1288DBLL-10KLI Datasheet Copertura
IS63WV1288DBLL-10KLI Datasheet Pagina 2 IS63WV1288DBLL-10KLI Datasheet Pagina 3 IS63WV1288DBLL-10KLI Datasheet Pagina 4 IS63WV1288DBLL-10KLI Datasheet Pagina 5 IS63WV1288DBLL-10KLI Datasheet Pagina 6 IS63WV1288DBLL-10KLI Datasheet Pagina 7 IS63WV1288DBLL-10KLI Datasheet Pagina 8 IS63WV1288DBLL-10KLI Datasheet Pagina 9 IS63WV1288DBLL-10KLI Datasheet Pagina 10 IS63WV1288DBLL-10KLI Datasheet Pagina 11

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  • IS63WV1288DBLL-10JLI Distributor

IS63WV1288DBLL-10JLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-SOJ

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Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-VFBGA (8x9)

70P244L40BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

40ns

Tempo di accesso

40ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

81-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

81-CABGA (5x5)

24C02CT-I/MC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (2x3)

S29WS128PABBFW000

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

WS-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-FBGA (11.6x8)

71V25761S183BGI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

183MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

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