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IS61WV102416EDBLL-10T2LI

IS61WV102416EDBLL-10T2LI

Solo per riferimento

Numero parte IS61WV102416EDBLL-10T2LI
PNEDA Part # IS61WV102416EDBLL-10T2LI
Descrizione IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.050
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61WV102416EDBLL-10T2LI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61WV102416EDBLL-10T2LI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61WV102416EDBLL-10T2LI, IS61WV102416EDBLL-10T2LI Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 756,42 KB)
PDFIS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Copertura
IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 2 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 3 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 4 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 5 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 6 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 7 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 8 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 9 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 10 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 11

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  • IS61WV102416EDBLL-10T2LI Distributor

IS61WV102416EDBLL-10T2LI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore48-TSOP I

I prodotti a cui potresti essere interessato

MT46H32M16LFBF-5 AIT:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-VFBGA (8x9)

IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

ECF840AAACN-C1-Y3

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

8Gb (512M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

70V24S55PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

M93C86-MN6T

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Venduto di recente

4608X-101-332LF

4608X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 3.3K OHM 8SIP

SRR0735A-100M

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Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

7443320068

7443320068

Wurth Electronics

FIXED IND 680NH 26A 0.72 MOHM

CEP125NP-1R0MC-HD

CEP125NP-1R0MC-HD

Sumida

FIXED IND 1UH 16.5A 2.5 MOHM SMD

CDRH127/LDNP-220MC

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Sumida

FIXED IND 22UH 4.7A 36.4 MOHM

BLM18AG601SN1D

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Murata

FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

2744045447

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Fair-Rite Products

CMC 5A 2LN 60 OHM SMD

NFE31PT222Z1E9L

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Murata

FILTER LC(T) 2200PF SMD

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

APXH200ARA470MH70G

APXH200ARA470MH70G

United Chemi-Con

CAP ALUM POLY 47UF 20% 20V SMD

PME271Y447MR30

PME271Y447MR30

KEMET

CAP FILM 4700PF 20% 1KVDC RADIAL

ELXY500ETC560MF15D

ELXY500ETC560MF15D

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CAP ALUM 56UF 20% 50V RADIAL