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IS61VVPS204818B-166B3LI-TR

IS61VVPS204818B-166B3LI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS61VVPS204818B-166B3LI-TR
PNEDA Part # IS61VVPS204818B-166B3LI-TR
Descrizione IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.966
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61VVPS204818B-166B3LI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61VVPS204818B-166B3LI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61VVPS204818B-166B3LI-TR, IS61VVPS204818B-166B3LI-TR Datasheet (Totale pagine: 35, Dimensioni: 1.227,49 KB)
PDFIS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Copertura
IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 2 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 3 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 4 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 5 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 6 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 7 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 8 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 9 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 10 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 11

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IS61VVPS204818B-166B3LI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso3.8ns
Tensione - Alimentazione1.71V ~ 1.89V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-TFBGA (13x15)

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Produttore

Swissbit

Serie

EM-20

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (MLC)

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

eMMC

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

153-LFBGA (11.5x13)

S25FL129P0XMFV011

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

MTFC8GACAALT-4M IT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

64Gb (8G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TBGA (14x18)

W979H6KBVX2E

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

134-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

134-VFBGA (10x11.5)

CY14MB064Q1B-SXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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