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IS61NVF25672-6.5B1I-TR

IS61NVF25672-6.5B1I-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS61NVF25672-6.5B1I-TR
PNEDA Part # IS61NVF25672-6-5B1I-TR
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.384
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61NVF25672-6.5B1I-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61NVF25672-6.5B1I-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61NVF25672-6.5B1I-TR, IS61NVF25672-6.5B1I-TR Datasheet (Totale pagine: 35, Dimensioni: 496,97 KB)
PDFIS61NVF51236-7.5B3I Datasheet Copertura
IS61NVF51236-7.5B3I Datasheet Pagina 2 IS61NVF51236-7.5B3I Datasheet Pagina 3 IS61NVF51236-7.5B3I Datasheet Pagina 4 IS61NVF51236-7.5B3I Datasheet Pagina 5 IS61NVF51236-7.5B3I Datasheet Pagina 6 IS61NVF51236-7.5B3I Datasheet Pagina 7 IS61NVF51236-7.5B3I Datasheet Pagina 8 IS61NVF51236-7.5B3I Datasheet Pagina 9 IS61NVF51236-7.5B3I Datasheet Pagina 10 IS61NVF51236-7.5B3I Datasheet Pagina 11

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  • IS61NVF25672-6.5B1I-TR Distributor

IS61NVF25672-6.5B1I-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria18Mb (256K x 72)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso6.5ns
Tensione - Alimentazione2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia209-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore209-LFBGA (14x22)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8, 128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (11x13)

IS61VVF409618B-7.5TQL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-LQFP (14x20)

IDT6116SA35TP

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

24-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-PDIP

MT48LC8M32LFF5-8 IT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

125MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

28333513 A

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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