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IS61LF12836A-7.5TQLI

IS61LF12836A-7.5TQLI

Solo per riferimento

Numero parte IS61LF12836A-7.5TQLI
PNEDA Part # IS61LF12836A-7-5TQLI
Descrizione IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.199
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61LF12836A-7.5TQLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61LF12836A-7.5TQLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61LF12836A-7.5TQLI, IS61LF12836A-7.5TQLI Datasheet (Totale pagine: 25, Dimensioni: 945,77 KB)
PDFIS61LF12836A-7.5B2I-TR Datasheet Copertura
IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 2 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 3 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 4 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 5 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 6 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 7 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 8 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 9 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 10 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS61LF12836A-7.5TQLI Distributor

IS61LF12836A-7.5TQLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria4.5Mb (128K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso7.5ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-TQFP (14x20)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

80ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

MX30LF2G28AB-TI

Macronix

Produttore

Macronix

Serie

MX30LF

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (1G x 1)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-U-PDFN (8x6)

AS4C1M16S-6TCN

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

50-TSOP II

CY7C1315CV18-250BZI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

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