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IS46DR16640B-25DBLA2

IS46DR16640B-25DBLA2

Solo per riferimento

Numero parte IS46DR16640B-25DBLA2
PNEDA Part # IS46DR16640B-25DBLA2
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.178
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS46DR16640B-25DBLA2 Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS46DR16640B-25DBLA2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS46DR16640B-25DBLA2, IS46DR16640B-25DBLA2 Datasheet (Totale pagine: 29, Dimensioni: 1.060,92 KB)
PDFIS46DR81280B-3DBLA2 Datasheet Copertura
IS46DR81280B-3DBLA2 Datasheet Pagina 2 IS46DR81280B-3DBLA2 Datasheet Pagina 3 IS46DR81280B-3DBLA2 Datasheet Pagina 4 IS46DR81280B-3DBLA2 Datasheet Pagina 5 IS46DR81280B-3DBLA2 Datasheet Pagina 6 IS46DR81280B-3DBLA2 Datasheet Pagina 7 IS46DR81280B-3DBLA2 Datasheet Pagina 8 IS46DR81280B-3DBLA2 Datasheet Pagina 9 IS46DR81280B-3DBLA2 Datasheet Pagina 10 IS46DR81280B-3DBLA2 Datasheet Pagina 11

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  • IS46DR16640B-25DBLA2 Supplier

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  • IS46DR16640B-25DBLA2 Distributor

IS46DR16640B-25DBLA2 Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso400ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore84-TWBGA (8x12.5)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ms

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

IS43DR16128B-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-TWBGA (10.5x13)

CY62157EV30LL-45ZXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

CY62148DV30LL-70ZSXA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP II

93C46AT-I/MC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (2x3)

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