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IS43TR16512AL-15HBLI-TR

IS43TR16512AL-15HBLI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS43TR16512AL-15HBLI-TR
PNEDA Part # IS43TR16512AL-15HBLI-TR
Descrizione IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.480
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS43TR16512AL-15HBLI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS43TR16512AL-15HBLI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS43TR16512AL-15HBLI-TR, IS43TR16512AL-15HBLI-TR Datasheet (Totale pagine: 79, Dimensioni: 4.133,27 KB)
PDFIS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Copertura
IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 2 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 3 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 4 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 5 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 6 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 7 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 8 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 9 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 10 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 11

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  • IS43TR16512AL-15HBLI-TR Distributor

IS43TR16512AL-15HBLI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria8Gb (512M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-LFBGA (10x14)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-MiniBGA (8x13)

IS43R16320D-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

70125L35J

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

18Kb (2K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

52-PLCC (19.13x19.13)

MT49H32M18FM-25E:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

576Mb (32M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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S34MS01G204BHI010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MS-2

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-BGA (11x9)

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