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IS43TR16512A-125KBL

IS43TR16512A-125KBL

Solo per riferimento

Numero parte IS43TR16512A-125KBL
PNEDA Part # IS43TR16512A-125KBL
Descrizione IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.808
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS43TR16512A-125KBL Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS43TR16512A-125KBL
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS43TR16512A-125KBL, IS43TR16512A-125KBL Datasheet (Totale pagine: 79, Dimensioni: 4.133,27 KB)
PDFIS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Copertura
IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 2 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 3 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 4 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 5 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 6 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 7 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 8 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 9 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 10 IS43TR16512AL-15HBLI Datasheet Pagina 11

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  • IS43TR16512A-125KBL Distributor

IS43TR16512A-125KBL Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria8Gb (512M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-LFBGA (10x14)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP

IDT71V3556S133BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

24Gb (384M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

272-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

272-WFBGA (15x15)

7142LA20JG

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

366MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

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