IS43LR16400B-6BLI
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| Numero parte | IS43LR16400B-6BLI |
| PNEDA Part # | IS43LR16400B-6BLI |
| Descrizione | IC DRAM 64M PARALLEL 60TFBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.020 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS43LR16400B-6BLI Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS43LR16400B-6BLI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS43LR16400B-6BLI, IS43LR16400B-6BLI Datasheet
(Totale pagine: 42, Dimensioni: 1.810,88 KB)
  
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IS43LR16400B-6BLI Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Dimensione della memoria | 64Mb (4M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 5.5ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 60-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 60-TFBGA (8x10) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 4Mb (128K x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.1ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-LQFP (14x20) |
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