IS43DR86400D-3DBI-TR
Solo per riferimento
| Numero parte | IS43DR86400D-3DBI-TR |
| PNEDA Part # | IS43DR86400D-3DBI-TR |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.014 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IS43DR86400D-3DBI-TR Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IS43DR86400D-3DBI-TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS43DR86400D-3DBI-TR, IS43DR86400D-3DBI-TR Datasheet
(Totale pagine: 48, Dimensioni: 1.091,38 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IS43DR86400D-3DBI-TR Datasheet
- where to find IS43DR86400D-3DBI-TR
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBI-TR
- IS43DR86400D-3DBI-TR PDF Datasheet
- IS43DR86400D-3DBI-TR Stock
- IS43DR86400D-3DBI-TR Pinout
- Datasheet IS43DR86400D-3DBI-TR
- IS43DR86400D-3DBI-TR Supplier
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
- IS43DR86400D-3DBI-TR Price
- IS43DR86400D-3DBI-TR Distributor
IS43DR86400D-3DBI-TR Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 333MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 450ps |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 60-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 60-TWBGA (8x10.5) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie GL-N Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 90ns Tempo di accesso 90ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 64-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 64-FBGA (13x11) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-sTSOP I |
Produttore Alliance Memory, Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 15ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-TSOP II |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie Automotive, AEC-Q100, AL-J Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-FBGA (8.15x6.15) |
