IS42S32160C-6BI
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| Numero parte | IS42S32160C-6BI |
| PNEDA Part # | IS42S32160C-6BI |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.220 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS42S32160C-6BI Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS42S32160C-6BI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS42S32160C-6BI, IS42S32160C-6BI Datasheet
(Totale pagine: 60, Dimensioni: 1.887,44 KB)
  
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IS42S32160C-6BI Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM |
| Dimensione della memoria | 512Mb (16M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 5.4ns |
| Tensione - Alimentazione | 3V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 90-LFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 90-WBGA (8x13) |
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