IS42RM32200K-6BLI
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| Numero parte | IS42RM32200K-6BLI |
| PNEDA Part # | IS42RM32200K-6BLI |
| Descrizione | IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.732 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS42RM32200K-6BLI Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS42RM32200K-6BLI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS42RM32200K-6BLI, IS42RM32200K-6BLI Datasheet
(Totale pagine: 33, Dimensioni: 535,13 KB)
  
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IS42RM32200K-6BLI Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile |
| Dimensione della memoria | 64Mb (2M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 5.5ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.3V ~ 2.7V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 90-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 90-TFBGA (8x13) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Dimensione della memoria 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 134-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 134-TFBGA (10x11.5) |
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