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IRLZ34L

IRLZ34L

Solo per riferimento

Numero parte IRLZ34L
PNEDA Part # IRLZ34L
Descrizione MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.084
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRLZ34L Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRLZ34L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRLZ34L, IRLZ34L Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 384,8 KB)
PDFIRLZ34STRR Datasheet Copertura
IRLZ34STRR Datasheet Pagina 2 IRLZ34STRR Datasheet Pagina 3 IRLZ34STRR Datasheet Pagina 4 IRLZ34STRR Datasheet Pagina 5 IRLZ34STRR Datasheet Pagina 6 IRLZ34STRR Datasheet Pagina 7 IRLZ34STRR Datasheet Pagina 8 IRLZ34STRR Datasheet Pagina 9

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IRLZ34L Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 18A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 5V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.7W (Ta), 88W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262-3
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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HUF75329D3ST

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 20V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

128W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

2N7002T

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523F

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

IPP60R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

363pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SIS415DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5460pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 500V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

6.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT223

Pacchetto / Custodia

TO-261-3

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1410-L110-L1F1-S01-4A

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S3A-13-F

S3A-13-F

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DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

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HCPL-7710-000E

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