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IRLR3714ZTRRPBF

IRLR3714ZTRRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRLR3714ZTRRPBF
PNEDA Part # IRLR3714ZTRRPBF
Descrizione MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.086
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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IRLR3714ZTRRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRLR3714ZTRRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRLR3714ZTRRPBF, IRLR3714ZTRRPBF Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 262,83 KB)
PDFIRLR3714ZTRPBF Datasheet Copertura
IRLR3714ZTRPBF Datasheet Pagina 2 IRLR3714ZTRPBF Datasheet Pagina 3 IRLR3714ZTRPBF Datasheet Pagina 4 IRLR3714ZTRPBF Datasheet Pagina 5 IRLR3714ZTRPBF Datasheet Pagina 6 IRLR3714ZTRPBF Datasheet Pagina 7 IRLR3714ZTRPBF Datasheet Pagina 8 IRLR3714ZTRPBF Datasheet Pagina 9 IRLR3714ZTRPBF Datasheet Pagina 10 IRLR3714ZTRPBF Datasheet Pagina 11

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IRLR3714ZTRRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C37A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.1nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds560pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)35W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

400W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXFH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IRF8304MTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Ta), 170A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta), 100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET™ MX

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric MX

IRC644PBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Funzione FET

Current Sensing

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-5

Pacchetto / Custodia

TO-220-5

FDD6770A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Ta), 50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2405pF @ 13V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 65W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

Vishay Siliconix

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 28.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

257nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12065pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.75W (Ta), 250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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