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IRLR210ATM

IRLR210ATM

Solo per riferimento

Numero parte IRLR210ATM
PNEDA Part # IRLR210ATM
Descrizione MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.678
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRLR210ATM Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRLR210ATM
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRLR210ATM, IRLR210ATM Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 234,09 KB)
PDFIRLR210ATF Datasheet Copertura
IRLR210ATF Datasheet Pagina 2 IRLR210ATF Datasheet Pagina 3 IRLR210ATF Datasheet Pagina 4 IRLR210ATF Datasheet Pagina 5 IRLR210ATF Datasheet Pagina 6 IRLR210ATF Datasheet Pagina 7

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IRLR210ATM Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.7A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.35A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds240pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 21W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

I prodotti a cui potresti essere interessato

FQPF27N25

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2450pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

55W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

DMP2078LCA3-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78mOhm @ 500mA, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

-12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

228pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

810mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

X4-DSN1006-3

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

DMN3023L-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

873pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SQ1470EH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-6 (SOT-363)

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

DMT3020LFDF-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

393pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta), 1.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type B)

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Venduto di recente

AD8113JSTZ

AD8113JSTZ

Analog Devices

IC VIDEO CROSSPOINT SWIT 100LQFP

MC33161PG

MC33161PG

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8DIP

V23050-A1110-A533

V23050-A1110-A533

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY SAFETY 6PST 8A 110V

AOZ8808DI-05

AOZ8808DI-05

Alpha & Omega Semiconductor

TVS DIODE 5V 9V 10DFN

DSPIC30F4011-30I/PT

DSPIC30F4011-30I/PT

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IC MCU 16BIT 48KB FLASH 44TQFP

FQD3P50TM

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MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

SRDA05-4.TBT

SRDA05-4.TBT

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TVS DIODE 5V 20V 8SO

SLF12575T-470M2R7-PF

SLF12575T-470M2R7-PF

TDK

FIXED IND 47UH 2.7A 52.8 MOHM

SRP4020-2R2M

SRP4020-2R2M

Bourns

FIXED IND 2.2UH 3.9A 40 MOHM SMD

AD7793BRUZ

AD7793BRUZ

Analog Devices

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 16TSSOP

LTW-C191DS5

LTW-C191DS5

Lite-On Inc.

LED WHITE CHIP SMD

LTST-C150CKT

LTST-C150CKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR 1206 SMD