IRLL2703PBF
Solo per riferimento
| Numero parte | IRLL2703PBF |
| PNEDA Part # | IRLL2703PBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.212 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRLL2703PBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IRLL2703PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IRLL2703PBF Datasheet
- where to find IRLL2703PBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRLL2703PBF
- IRLL2703PBF PDF Datasheet
- IRLL2703PBF Stock
- IRLL2703PBF Pinout
- Datasheet IRLL2703PBF
- IRLL2703PBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRLL2703PBF Price
- IRLL2703PBF Distributor
IRLL2703PBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie π-MOSVII Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 830mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220SIS Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie aMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 372pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 480mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 3.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 188pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 760mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 18.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53.1nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2569pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 17.3W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3410pF @ 400V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 313W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK-3 (TO-263-3) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
