IRLD110
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Numero parte | IRLD110 |
PNEDA Part # | IRLD110 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.040 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 30 - giu 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRLD110 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRLD110 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IRLD110 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 600mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacchetto / Custodia | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
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