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IRL3715ZCLPBF

IRL3715ZCLPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRL3715ZCLPBF
PNEDA Part # IRL3715ZCLPBF
Descrizione MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.110
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 2 - lug 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRL3715ZCLPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRL3715ZCLPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRL3715ZCLPBF, IRL3715ZCLPBF Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 706,78 KB)
PDFIRL3715ZCSTRLP Datasheet Copertura
IRL3715ZCSTRLP Datasheet Pagina 2 IRL3715ZCSTRLP Datasheet Pagina 3 IRL3715ZCSTRLP Datasheet Pagina 4 IRL3715ZCSTRLP Datasheet Pagina 5 IRL3715ZCSTRLP Datasheet Pagina 6 IRL3715ZCSTRLP Datasheet Pagina 7 IRL3715ZCSTRLP Datasheet Pagina 8 IRL3715ZCSTRLP Datasheet Pagina 9 IRL3715ZCSTRLP Datasheet Pagina 10 IRL3715ZCSTRLP Datasheet Pagina 11

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IRL3715ZCLPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds870pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)45W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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IRFU020PBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251AA

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPL60R650P6SATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

557pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

56.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-ThinPak (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

ZVN0545ASTOB

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

450V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

E-Line (TO-92 compatible)

Pacchetto / Custodia

E-Line-3

IRFSL31N20DTRR

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

31A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

82mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2370pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

220V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

260mA (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

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12Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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±20V

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Temperatura di esercizio

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