IRL3102STRLPBF
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| Numero parte | IRL3102STRLPBF |
| PNEDA Part # | IRL3102STRLPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.284 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRL3102STRLPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRL3102STRLPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IRL3102STRLPBF, IRL3102STRLPBF Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 326,06 KB)
  
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IRL3102STRLPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 61A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 7V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 37A, 7V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 89W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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