IRL2203NPBF
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| Numero parte | IRL2203NPBF |
| PNEDA Part # | IRL2203NPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 13.908 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRL2203NPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRL2203NPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRL2203NPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 116A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3290pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 180W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
