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IRL1104SPBF

IRL1104SPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRL1104SPBF
PNEDA Part # IRL1104SPBF
Descrizione MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.214
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRL1104SPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRL1104SPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRL1104SPBF, IRL1104SPBF Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 226,48 KB)
PDFIRL1104STRLPBF Datasheet Copertura
IRL1104STRLPBF Datasheet Pagina 2 IRL1104STRLPBF Datasheet Pagina 3 IRL1104STRLPBF Datasheet Pagina 4 IRL1104STRLPBF Datasheet Pagina 5 IRL1104STRLPBF Datasheet Pagina 6 IRL1104STRLPBF Datasheet Pagina 7 IRL1104STRLPBF Datasheet Pagina 8 IRL1104STRLPBF Datasheet Pagina 9 IRL1104STRLPBF Datasheet Pagina 10 IRL1104STRLPBF Datasheet Pagina 11

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  • IRL1104SPBF Distributor

IRL1104SPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C104A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3445pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.4W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1530pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SPA20N60C3XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 13.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

34.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

SPP20N60S5XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.75W (Ta), 100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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