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IRGS4B60KD1TRRP

IRGS4B60KD1TRRP

Solo per riferimento

Numero parte IRGS4B60KD1TRRP
PNEDA Part # IRGS4B60KD1TRRP
Descrizione IGBT 600V 11A 63W D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.204
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRGS4B60KD1TRRP Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRGS4B60KD1TRRP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IRGS4B60KD1TRRP Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)11A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)22A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 4A
Potenza - Max63W
Switching Energy73µJ (on), 47µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge12nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C22ns/100ns
Condizione di test400V, 4A, 100Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)93ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK

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Produttore

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

74A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Potenza - Max

255W

Switching Energy

390µJ (on), 120µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

95nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/165ns

Condizione di test

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

430A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 20A

Potenza - Max

417W

Switching Energy

23mJ (on), 2.6mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

425nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

33ns/370ns

Condizione di test

1500V, 20A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

864ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUSi5-Pak™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUSi5-Pak™

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

IXGP12N100

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

2.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/850ns

Condizione di test

800V, 12A, 120Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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