IRGB30B60K
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| Numero parte | IRGB30B60K |
| PNEDA Part # | IRGB30B60K |
| Descrizione | IGBT 600V 78A 370W TO220AB |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.142 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGB30B60K Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRGB30B60K |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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IRGB30B60K Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 78A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 370W |
| Switching Energy | 350µJ (on), 825µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 102nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 46ns/185ns |
| Condizione di test | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 42A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 84A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 25A Potenza - Max 160W Switching Energy 950µJ (on), 760µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 120nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 53ns/110ns Condizione di test 480V, 25A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 42ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 22A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 44A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 10A Potenza - Max 156W Switching Energy 140µJ (on), 250µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 38nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 30ns/230ns Condizione di test 400V, 10A, 47Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 90ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
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Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 78A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 129A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 25A Potenza - Max 337W Switching Energy 875µJ (on), 425µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 116nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 12ns/82ns Condizione di test 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] |
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