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IRG7PH50K10DPBF

IRG7PH50K10DPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRG7PH50K10DPBF
PNEDA Part # IRG7PH50K10DPBF
Descrizione IGBT 1200V 90A 400W TO247AC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.994
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG7PH50K10DPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG7PH50K10DPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IRG7PH50K10DPBF, IRG7PH50K10DPBF Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 549,8 KB)
PDFIRG7PH50K10DPBF Datasheet Copertura
IRG7PH50K10DPBF Datasheet Pagina 2 IRG7PH50K10DPBF Datasheet Pagina 3 IRG7PH50K10DPBF Datasheet Pagina 4 IRG7PH50K10DPBF Datasheet Pagina 5 IRG7PH50K10DPBF Datasheet Pagina 6 IRG7PH50K10DPBF Datasheet Pagina 7 IRG7PH50K10DPBF Datasheet Pagina 8 IRG7PH50K10DPBF Datasheet Pagina 9 IRG7PH50K10DPBF Datasheet Pagina 10 IRG7PH50K10DPBF Datasheet Pagina 11

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IRG7PH50K10DPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)90A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 35A
Potenza - Max400W
Switching Energy2.3mJ (on), 1.6mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge300nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C90ns/340ns
Condizione di test600V, 35A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)130ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AC

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NGTB45N60S1WG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

90A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

1.25mJ (on), 530µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

125nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

72ns/132ns

Condizione di test

400V, 45A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

70ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

APT80GA60LD40

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

143A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

840µJ (on), 751µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

230nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/158ns

Condizione di test

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

22ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

NGTG40N120FL2WG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

535W

Switching Energy

3.4mJ (on), 1.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

313nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

116ns/286ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Potenza - Max

190W

Switching Energy

2.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

72nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/150ns

Condizione di test

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

APT43GA90B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

129A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 25A

Potenza - Max

337W

Switching Energy

875µJ (on), 425µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

116nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/82ns

Condizione di test

600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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