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IRG4BC10SD-L

IRG4BC10SD-L

Solo per riferimento

Numero parte IRG4BC10SD-L
PNEDA Part # IRG4BC10SD-L
Descrizione IGBT 600V 14A 38W TO262
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.844
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG4BC10SD-L Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG4BC10SD-L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IRG4BC10SD-L, IRG4BC10SD-L Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 220,09 KB)
PDFIRG4BC10SD-S Datasheet Copertura
IRG4BC10SD-S Datasheet Pagina 2 IRG4BC10SD-S Datasheet Pagina 3 IRG4BC10SD-S Datasheet Pagina 4 IRG4BC10SD-S Datasheet Pagina 5 IRG4BC10SD-S Datasheet Pagina 6 IRG4BC10SD-S Datasheet Pagina 7 IRG4BC10SD-S Datasheet Pagina 8 IRG4BC10SD-S Datasheet Pagina 9 IRG4BC10SD-S Datasheet Pagina 10 IRG4BC10SD-S Datasheet Pagina 11

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IRG4BC10SD-L Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)14A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 8A
Potenza - Max38W
Switching Energy310µJ (on), 3.28mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge15nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C76ns/815ns
Condizione di test480V, 8A, 100Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)28ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Potenza - Max

72W

Switching Energy

412µJ (on), 140µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

53nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

48ns/120ns

Condizione di test

300V, 10A, 30Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

IRGS4B60KD1TRLP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Potenza - Max

63W

Switching Energy

73µJ (on), 47µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

12nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/100ns

Condizione di test

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

93ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

APT13GP120BDQ1G

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

41A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 13A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

115µJ (on), 165µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

55nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

9ns/28ns

Condizione di test

600V, 13A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

IRG4PSH71KD

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

156A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 42A

Potenza - Max

350W

Switching Energy

5.68mJ (on), 3.23mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

410nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

67ns/230ns

Condizione di test

800V, 42A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

107ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-274AA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

119A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

395W

Switching Energy

680µJ (on), 430µJ (off)

Tipo di ingresso

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Gate Charge

166nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

26ns/347ns

Condizione di test

400V, 37.5A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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